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标 题: 供应AO6602L场效应管,TSOP-6封装场效应管
型 号: AO6602L
品 牌: 美国万代AOS
封 装: TSOP-6
批 号: 11+
数 量: 6000
价 格: 面议
发货地: 深圳
 
产品特点
 AO6602L 场效应管的参数:  类别:分离式半导体产品  家庭:FET - 阵列  FET 型:N 和 P 沟道  FET 特点:逻辑电平门  漏极至源极电压(Vdss):30V   电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.1A, 2.7A   开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 3.1A, 10V   Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250?A   闸电荷(Qg) @ Vgs:8.5nC @ 10V   输入电容 (Ciss) @ Vds:240pF @ 15V   功率 - 最大:1.15W   安装类型:表面贴装  封装/外壳:SC-74, SOT-457   供应商设备封装:6-TSOP   包装:带卷 (TR)   场效应管的分类:  场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。  按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。  场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
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