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标 题: 供应AO6604场效应管,表面贴装型场效应管
型 号: AO6604
品 牌: 美国万代AOS
封 装: TSOP-6
批 号: 11+
数 量: 6000
价 格: 面议
发货地: 深圳
 
产品特点

  AO6604 场效应管参数:  类别:分离式半导体产品  家庭:FET - 阵列  FET 型:N 和 P 沟道  FET 特点:逻辑电平门  漏极至源极电压(Vdss):20V   电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A, 2.5A   开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 3.4A, 4.5V   Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250?A   闸电荷(Qg) @ Vgs:8.1nC @ 4.5V   输入电容 (Ciss) @ Vds:570pF @ 10V   功率 - 最大:1.15W   安装类型:表面贴装  封装/外壳:SC-74, SOT-457   供应商设备封装:6-TSOP   包装:带卷 (TR)   结型场效应管的管脚识别  场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电 场效应管阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。

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