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标 题: 供应AOD4132场效应管,AOD4132 Mosfet场效应管
型 号: AOD4132
品 牌: 美国万代AOS
封 装: TO-252
批 号: 11+
数 量: 30000
价 格: 面议
发货地: 深圳
 
产品特点

  AOD4132 场效应管参数:  类别:分离式半导体产品  家庭:FET - 单  FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物  FET 特点:标准型  漏极至源极电压(Vdss):30V   电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:85A   开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 毫欧 @ 20A, 10V   Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250?A   闸电荷(Qg) @ Vgs:76nC @ 10V   输入电容 (Ciss) @ Vds:4400pF @ 15V   功率 - 最大:100W   安装类型:表面贴装  封装/外壳:TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63   供应商设备封装:TO-252, (D-Pak)   包装:带卷 (TR)   场效应管的使用优势  场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。  有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。  场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

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